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SEM Mill 氬離子拋光儀

型號:1061

專利電磁聚焦離子槍設計 
超寬加速電壓范圍(最高10keV),拋光效率高 
最低100eV,修復后近乎無損 
配備液氮冷臺(可持續制冷超過18小時),去除熱損傷 
同時具備截面切割和平面拋光功能 
可選配真空轉移 
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  • 產品應用
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EBSD制樣

 

真空轉移盒,能夠實現手套箱、氬離子拋光、掃描電鏡或FIB三者之間進行惰性氣體或真空條件下樣品的轉移,特別適合鋰電池、鈣鈦礦、石墨烯等水氧敏感材料制樣需求。

SEM Mill 作為采用尖端技術制造的離子束切割拋光系統,提供可靠、高性能的樣品制備能力,能夠在最短時間內解決各類掃描電鏡制樣困難材料的制樣問題,同時具備緊湊、精確以及高穩定性的優點。

 

主要性能特點:

• 兩支獨立可調電磁聚焦離子槍

• 同時具備高能量(快速拋光)和低能量(精細修復)

• 超寬加速電壓范圍:100eV 到 10kV,不同加速電 壓下,離子束束斑均保持最細最優束斑狀態

• 每支離子槍均配備對應法拉第杯進行離子束直接探測

• 采用可調節10英寸觸屏控制系統,人機界面友好,操作簡潔

• 配備橫截面切割裝載及定位工具

• 配備磁編碼器,帶有樣品測厚功能,自動匹配最佳拋光位置,保證最佳的拋光質量和效率

• 拋光 角度范圍:0 0 °到 +10°連續可調

• 具備原位實時觀察及記錄 拋光 過程功能

• 樣品可360°連續旋轉或搖擺,離子束自動避讓樣品夾

• 可通過時間 或 溫度自動停止

• 可選液氮冷臺配置,去除熱效應對樣品的損傷

• 可選真空或惰性氣體轉移裝置,隔絕樣品與水氧接觸

 

離子拋光技術簡介

離子 拋光技術通常采用惰性氣體氬,通過將氬氣離子化后,在電場加速作用下轟擊到樣品表面,利用動量轉移的方式進行可控速率條件下,物理濺射轟擊的方式對樣品技術通常采用惰性氣體表面進行精細拋光處理,滿足掃描電鏡/EBSD等表面敏感分析技術制樣需求。

 

32層第二代3D V-NAND存儲芯片

 

Model 1061 SEM Mill 技術規格

離子源

兩支TrueFocus聚焦離子源可調節能量范圍100 eV到10 keV ,最大束流密度可達10 mA/cm 2拋光角度 0° 到 +10?連續可調可選擇單槍或雙槍工作模式兩支離子槍能量可獨立調節可選手動或自動馬達離子槍離子束束斑大小300μm —5mm連續可調

樣品臺

樣品尺寸

橫截面切割: Max 25x10x7mm

平面拋光:32mm直徑 x 25mm 高

360? 旋轉且轉速可調,同時樣品臺可搖擺

磁編碼器提供絕對定位精度

液氮冷臺

可選液氮冷臺設計,冷卻時間分為3-5小時,即18小時以上兩種,最低溫度<-170℃,具備自動程序化控溫設計

拋光速率

500μm/Hr(Si@10keV)

真空系統

80L/s分子泵加多級無油隔膜泵配有款量程冷陰極規

真空轉移

可選真空轉移或惰性氣體保護下轉移升級

氣源

99.999%高純氬氣,使用壓力 15 psi

配備精確氣體質量流量計

人機界面

10英寸觸屏設計,可實現配方編程控制可選遠程燈光指示器

尺寸重量

68cm(W)X 55cm(H)X 54cm(D),73kg

電源

220/240 VAC, 50/60 Hz, 720 W

保修期

一年

 

左圖為鎂合金背散射圖像,右圖為EBSD衍射花樣

 

左圖為鈦合金背散射圖像,右圖為EBSD衍射花樣

 

左圖為鋯合金背散射圖像,右圖為EBSD衍射花樣

 

左圖及右圖均為頁巖氣樣品拋光之后具備高倍成像結果

 

橫截面切割精密對位系統

應用更新中...
圖庫更新中...

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