? 更高讀出速度
最高可達20000fps，特別適合高速原位實驗/電子束敏感材料快速成像，同時高的讀出速度節省了操作時間，使測量過程中的樣品漂移最小，減少了樣品損壞，提高了TEM觀察效率；
? 直接電子探測
采用直接電子探測技術，提供優異的信噪比，滿足低劑量（Low-dose）成像要求，最大程度避免了信號的損失
? 芯片使用壽命更長
直接探測芯片耐輻照指標為10e17@300keV，較傳統電子直接探測相機壽命高出8個數量級；
? 更寬探測范圍
同時采用獨特芯片設計，能夠滿足5keV~300keV超寬電壓范圍成像
? 更大動態范圍
動態范圍為10e-3到10e7 per mm²/Sec，特別適合4D-STEM成像
? 優越的信噪比
極低的讀出噪聲，可實現在低束流下精確對幾keV單電子探測，出色的信噪比（SNR）>300:1，允許在低束流下對單電子事件和微弱衍射峰進行光譜測量；
? 人機界面友好
專業PNOnline軟件包提供對相機的控制和操作，以及對數據各種現實及分析處理，并可設置相應數據的訪問權限；
? 人機界面友好配備PNOnline實時分析功能，用戶可以自由添加模擬選取光闌，可用戶BF/HAADF/DPC及其他各類感興趣數據。
