? 更高讀出速度
最高可達20000fps,特別適合高速原位實驗/電子束敏感材料快速成像,同時高的讀出速度節省了操作時間,使測量過程中的樣品漂移最小,減少了樣品損壞,提高了TEM觀察效率;
? 直接電子探測
采用直接電子探測技術,提供優異的信噪比,滿足低劑量(Low-dose)成像要求,最大程度避免了信號的損失
? 芯片使用壽命更長
直接探測芯片耐輻照指標為10e17@300keV,較傳統電子直接探測相機壽命高出8個數量級;
? 更寬探測范圍
同時采用獨特芯片設計,能夠滿足5keV~300keV超寬電壓范圍成像
? 更大動態范圍
動態范圍為10e-3到10e7 per mm²/Sec,特別適合4D-STEM成像
? 優越的信噪比
極低的讀出噪聲,可實現在低束流下精確對幾keV單電子探測,出色的信噪比(SNR)>300:1,允許在低束流下對單電子事件和微弱衍射峰進行光譜測量;
? 人機界面友好
專業PNOnline軟件包提供對相機的控制和操作,以及對數據各種現實及分析處理,并可設置相應數據的訪問權限;
? 人機界面友好配備PNOnline實時分析功能,用戶可以自由添加模擬選取光闌,可用戶BF/HAADF/DPC及其他各類感興趣數據。